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Controlled CVD Growth of Highly ⟨111⟩-Oriented 3C-SiC

작성자: 장*준
2023-01-30 571

회원님의 영작문

This suggested that the highly ⟨111⟩-oriented 3C-SiC growth with C7H8 as the carbon precursor, where both C6H6 and CH3 were considered the main active carbon-containing film forming species, was due to the highly preferred adsorption on the (111) plane, while the lower surface energy of the (110) plane controlled the growth orientation in the CH4 process, in which only CH3 contributed to the film deposition.

강사님의 첨삭교정 내용

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This suggested that the highly ⟨111⟩-oriented 3C-SiC growth with C7H8 as the carbon precursor, where both C6H6 and CH3 were considered the main active carbon-containing film forming species, was due to the highly preferred adsorption on the (111) plane, while the lower surface energy of the (110) plane controlled the growth orientation in the CH4 process, in which only CH3 contributed to the film deposition.
>> This suggested that the highly oriented 3C-SiC growth with C7H8 as the carbon precursor, where both C6H6 and CH3 were considered the main active carbon-containing film forming species, was due to the highly preferred adsorption on the (111) plane, while the lower surface energy of the (110) plane controlled the growth orientation in the CH4 process, in which only CH3 contributed to the film deposition.
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